:
 630058 , , . , .43, 108

:
 +7-913-928-0574
:
 
. :
 vgvins@gmail.com,

Справка

Алмаз имеет кубическую кристаллическую структуру с сильными ковалентными связями атомов углерода и с рекордно высокой атомной плотностью 1,76∙1023см-3. Это свойство и предопределяет многие особенности алмаза. Действительно, при ширине запрещенной зоны 5,45 эВ удельное сопротивление нелегированного алмаза составляет 1013–1014 Ом∙см, подвижность электронов и дырок – 4500 и 3800 см2/В∙с, соответственно. Поле пробоя достигает 107 В/см. По сочетанию важнейших параметров алмаз занимает исключительное место среди наиболее перспективных широкозонных полупроводников. Алмаз чрезвычайно устойчив химически, нерастворим в плавиковой, соляной, серной и азотной кислотах. В присутствии кислорода алмаз окисляется (травится) при температурах выше 600°С. В высоком вакууме поверхностная графитизация алмаза происходит при температуре 1700°С.

Правда, оборотная сторона высокой инертности и твердости алмаза – серьезные проблемы, связанные с его обработкой. У алмаза рекордная среди всех известных материалов теплопроводность – 20–24 Вт/см∙К при комнатной температуре. Это связано с его рекордно высокой температурой Дебая ТD=1860К, благодаря чему комнатная температура является «низкой» в отношении динамики решетки алмаза. В результате алмаз может служить «идеальной» теплоотводящей диэлектрической подложкой. Более того, в очищенном от изотопов алмазе (природные кристаллы содержат 1,1% изотопа 13С) теплопроводность может достигать 33 Вт/см∙К. Кроме того, алмаз – радиационно-стойкий материал. Он прозрачен в широком диапазоне спектра (от ультрафиолетового до радиоволнового), имеет высокую твердость (81–100 ГПа), рекордно высокую скорость распространения звука (18 км/с), низкую диэлектрическую проницаемость (ε=5,7). Благодаря таким уникальным свойствам алмаз перспективен для применения в самых различных ультра высокотехнологичных устройствах, например:

  • В качестве оптических окон мощных лазеров и оптических приборов;
  • В высокотемпературных электронных датчиках температуры (терморезисторах);
  • В качестве алмазных наковален для камер сверхвысокого давления;
  • В датчиках радиационного излучения;
  • В теплоотводах и теплостоках;
  • В виде подложек для ионной имплантации при создании электронных микросхем, полупроводниковых приборов (диодов Шоттки).

 

Rambler's Top100